PHI 5000 VersaProbe II最為一款多功能、多技術(shù)融合及高性能的XPS表面分析平臺。秉承PHI-XPS獨有的掃描聚焦X-ray光源，可通過石英晶體將X-ray單色化并聚焦至最小10μm，并可通過調(diào)節(jié)聚焦透鏡，使X-ray束斑直徑由10μm至400μm連續(xù)可調(diào)，結(jié)合掃描功能可完成Φ10μm~1400μm*1400μm范圍的光電子采譜。使其即可滿足XPS微區(qū)分析，同時又能夠快速完成大面積光譜采集。PHI 5000 VersaProbe II摒棄在收集透鏡端采用傳統(tǒng)的光闌設(shè)計進行選區(qū)，最大可能的提升了光電子的收集效率，使其遠(yuǎn)遠(yuǎn)高出同類產(chǎn)品在200μm以下空間尺度的靈敏度。同時，勿需采用磁透鏡，保證了磁性樣品分析時的靈敏度及避免了由磁透鏡所帶來的荷電中和困難，即使是磁性樣品，也可輕松應(yīng)對。

1.　囊括XPS的全部功能，同時可融合多種分析技術(shù)

◆ 全圖譜（survey）對各種樣品進行定性分析；

◆ 通過窄譜掃描（narrow spectra）偵測元素的化學(xué)態(tài)信息；

◆ 半定量給出各個成分及其化學(xué)態(tài)的百分比；

◆ 點、線、面分析（Line Scan& Mapping）；

◆ 化學(xué)態(tài)成像；

◆ 深度剖析（Depth Profiling）；

◆ 原位加熱/冷卻（選）；

◆ 反應(yīng)腔室模擬準(zhǔn)原位分析（選）；

◆ 紫外光電子能譜（選）；

◆ 俄歇能譜（選）；

◆ 反光電子能譜（IPES）（選）；

◆ 真空輸運裝置（選）；

◆ 可增加電子槍、離子槍等離子源進行前處理及光電子倍增管檢測器（選）；

◆ 高能雙陽極X-ray（選）。

2.　掃描聚焦式X-ray光源，使微米分析更加有效

掃描聚焦的X-ray光源及高靈敏度能量分析器集合128通道探測器，可提供最高性能的小區(qū)域XPS分析能力。PHI 5000 VersaProbe II采用專利技術(shù)的新型X-ray光源，X-ray束斑直徑由10μm至400μm連續(xù)可調(diào)，結(jié)合掃描功能，可快速完成Φ10μm~1400μm*1400μm區(qū)域的分析。通過掃描X-ray，能夠真正意義上完成點、線、面分析。

3.　掃描X-ray生成二次電子影像（SXI），使分析區(qū)域定位更方便

傳統(tǒng)的XPS在微區(qū)分析定位時，存在不能清晰觀察樣品的困難。PHI 5000 VersaProbe II可通過X-ray激發(fā)樣品產(chǎn)生二次電子影像（SXI），可通過二次電子影像提供分析所用的全部細(xì)微特征。二次電子影像（SXI）與采譜過程采用相同的激發(fā)源、光電子經(jīng)過相同的光學(xué)路徑、使用同一探測器進行成像及獲譜。避免了因為光學(xué)圖像上選點與分析位置的偏差，保證了所見即所得的精確分析。

4.　自動雙束中和設(shè)計，使導(dǎo)體及非導(dǎo)體

雙束中和采用低能電子束及低能離子束，在樣品近表面形成類等離子體氣氛，用來中和絕緣樣品表面的荷電。這一專利的中和方式，使在分析不同類型樣品時，無需重新設(shè)置中和參數(shù)，既能自動匹配提供穩(wěn)健的電荷補償功能。浮動柱狀離子槍及冷陰極發(fā)射器可以在超低電壓的條件下，提供最大的離子及電子密度流。

5.　逐點掃描的快速化學(xué)成像能力

通過掃描X-ray，可通過條件每點的掃描時間快速完成化學(xué)態(tài)成像。同時能夠得到每個像素點的化學(xué)態(tài)信息。傳統(tǒng)的XPS通常采用拍攝大量的化學(xué)態(tài)快照，通過數(shù)學(xué)計算得到微區(qū)譜信息。而PHI 5000 VersaProbe II真正意義上實現(xiàn)了在化學(xué)態(tài)成像圖上獲取數(shù)據(jù)譜信息，同時數(shù)據(jù)譜的空間分辨率、靈敏度及能量分辨率與儀器主指標(biāo)一致。

6.　精確而快速的深度剖析能力

采用獨特的聚焦X-ray設(shè)計，可使用較小的束斑得到優(yōu)秀的界面信息。同時采用較小的濺射面積實現(xiàn)快速的深度剖析功能。